12/06/2023 - 11:38

据韩联社报导，涉嫌盗取机密企图在中国设立山寨版三星电子半导体工厂的前三星电子高管A某被逮捕起诉。韩国水原地方检察厅6月12日表示，以违反《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》的罪名将A某逮捕起诉，并以涉嫌违反《不正当竞争防止法》等针对A某在华设立的公司所属5名职员，及涉嫌泄露设计图的三星电子合作公司1名职员共6人进行不捕直诉。

据水原地方检察厅称，这位65岁的三星电子前高管A某被指控违反了韩国《产业技术保护法》和《不正当竞争防止法》，他的名字被隐去。

报导指，A某涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据（Basic Engineering Data）、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺，属于国家关键技术。

检方还起诉了其他六人，包括三星电子一家分包商的1名员工和由这位前高管成立的中国芯片制造商的5名职员，他们被指控在技术泄密事件中串通，但没有被拘留。据了解，半导体工厂基本工程数据在2012年左右被A某公司的一名员工（在未经拘留的情况下被起诉）在为三星电子工作时被盗。A某等人是如何拿到工艺流程图的，检察官还在研究中。

检方称，A某企图在距离三星电子西安半导体工厂仅1.5公里处兴建山寨版三星芯片厂。由于台湾一家电子产品制造商曾承诺的8万亿韩元（约合62亿美元）投资落空，工厂建设项目没能实际进行。但据悉，A某曾在成都获得4600亿韩元投资建设半导体制造工厂，其中研发楼已于去年完工，并采用三星电子半导体技术生产出了样品。

A某曾任三星电子常务董事、SK海力士副社长等职务，是韩国半导体制造领域具有权威地位的人物。他在华设厂后录用200名三星电子、SK海力士的员工，承诺年薪提高一倍，并指示他们获取并利用三星电子半导体设计资料。检方推算，A某泄露技术给三星电子至少造成3000亿韩元损失。

报导称，检方于2019年8月从韩国国家情报院取得情报，但因A某滞留在中国而暂停调查。A某今年2月因住院治疗等原因入境韩国，被以刑事罪名起诉。检方计划扩大对A某等人的技术泄露和其他犯罪细节的调查。

报导指，据称A某强烈否认所有指控。经查，部分涉案员工对犯罪事实供认不讳。检方相关负责人称，“这不是简单的半导体技术泄露，而是企图完全复制半导体工厂”。