2026/01/19
旭化成与名古屋大学的联合研究团队开发的半导体晶体管的示意图
　    
　　日本旭化成与名古屋大学的联合研究团队开发出了新一代半导体晶体管。在氮化铝（AlN）基板上成功制备了控制电流的器件“高电子迁移率晶体管（HEMT）”。与利用氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管相比提高了性能。
 　　
　　据称有望提高6G、卫星通信、高性能雷达等新一代通信与雷达系统的高频、高功率器件的性能。
 　　
　　新开发的高电子迁移率晶体管改善了结晶生长的条件等，与使用氮化镓的高电子迁移率晶体管相比，实现了2倍以上的耐压性能和低电阻化等。